近日，材料学院刘新科博士的高压氮化镓肖特基二极管的研究成果被Semiconductor Today专题报道。文章指出相比较在蓝宝石衬底或硅基衬底上异质外延的氮化镓材料，在自支撑（free-standing）氮化镓衬底上同质外延的氮化镓材料具有无法比拟的突出特点，即材料缺陷密度超低（105-106 cm-2），相比异质氮化镓外延材料（1010-1012cm-2）。具有超低材料缺陷密度的自支撑氮化镓可以提高其器件的可靠性。因此，自支撑氮化镓电力电子器件，被认为是继硅基功率器件后，可应用于下一代电力转化系统（DC/DC,DC/AC,AC/DC）的关键元器件。另外，刘博士在高压氮化镓肖特基二极管主张开展无金的硅基CMOS兼容的材料和工艺的特色研究，因为金元素在硅基材料中是电子捕获复合的深能级缺陷，不利于将来采用硅基代工厂来实现氮化镓器件的量产。该研究得到了国家自然科学基金，深圳市基础研究布局的多项资金支持。
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