近日，天游官网电子科学与技术学院韩素婷副教授成果在Advanced Materials（影响因子：19.791, 中科院JCR一区）上发表题为“Synergies of electrochemical metallization and valance change in all-inorganic perovskite quantum dots for resistive switching”的文章（Adv. Mater., 2018, DOI:10.1002/adma.201800327）。该文章的第一作者为电子科学与技术学院博士后王燕，高等研究院周晔研究员为共同通讯作者，天游注册代理1958电子科学与技术学院为第一完成单位及通讯单位。作为下一代非易失型存储器，阻变存储器通过器件在不同电阻状态(高阻态和低阻态)之间的互相转换来实现数据存储，具有单元尺寸小、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。科学家根据不同材料体系构建了不同的阻变存储器模型，但是隐藏在背后的电阻转变机理仍不够清晰。如何进一步实现对阻变机理的实时动态分析，制备性能更优异的存储器具有重要的研究价值。本文首次将无机卤素钙钛矿CsPbX3量子点应用在阻变存储器中，系统性研究不同光照条件对存储器阻变性能的影响，对今后光控存储器的开发具有一定的指导意义，能够成为该方向上的一个重要亮点。同时创新性地利用SEM、EDX技术对水平结构器件进行动态监测。在阻变存储器机理研究领域方法新颖，具有可借鉴推广性。为实现高性能存储器的制备提供了一种简单高效的理论研究方法。
该研究得到了国家自然科学基金，广东省教育厅，广东省科技厅，深圳市科创委等项目的资助。
研究成果链接：https://doi.org/10.1002/adma.201800327
